TO263-7
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C3M0350120J

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0350120J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0350120J
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 7,2 A (Tc) 40,8W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C3M0350120J Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
455mOhm bei 3,6A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
345 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40,8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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503,44260 €172,13 €
1003,15560 €315,56 €
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1.0002,51553 €2.515,53 €
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