
C3M0120065J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1697-C3M0120065J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | C3M0120065J |
Beschreibung | 650V 120M SIC MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | C3M0120065J Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 157mOhm bei 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,6V bei 1,86mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 26 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | +19V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 640 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 86W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 7,97000 € | 7,97 € |
| 10 | 6,19300 € | 61,93 € |
| 50 | 5,48200 € | 274,10 € |
| 100 | 5,26210 € | 526,21 € |
| 250 | 5,02976 € | 1.257,44 € |
| 500 | 4,88976 € | 2.444,88 € |
| 1.000 | 4,77456 € | 4.774,56 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 7,97000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 9,48430 € |

