Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4038 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZF4800LDT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZF4800LDT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 80V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAIR® 3x3FS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta), 36 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	950pF bei 40V
Leistung - Max.	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	12-PowerPair™
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAIR® 3x3FS