


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHITFN-10-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 19A (Ta), 139A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 4mOhm bei 50A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,8V bei 85µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 78nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4800pF bei 50V | |
Leistung - Max. | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 10-PowerWDFN | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-WHITFN-10-1 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,88000 € | 4,88 € |
| 10 | 3,25800 € | 32,58 € |
| 100 | 2,33880 € | 233,88 € |
| 500 | 2,27952 € | 1.139,76 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 1,86235 € | 5.587,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,88000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,80720 € |











