Name: STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-12344-3-ND
Price: 1.19 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STQ2HNK60ZR-AP
DigiKey-Teilenr.	497-12344-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-12344-3-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STQ2HNK60ZR-AP
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STQ2HNK60ZR-AP Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	500mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,8Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	280 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Basis-Produktnummer	STQ2HNK60