Name: STL57N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13520-2-ND
Price: 12.3522 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STL57N65M5
DigiKey-Teilenr.	497-13520-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-13520-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-13520-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STL57N65M5
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 4,3 A (Ta), 22,5 A (Tc) 2,8W (Ta), 189W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (8x8) HV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STL57N65M5 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ V
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,3 A (Ta), 22,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	69mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4200 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 189W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (8x8) HV
Gehäuse / Hülle	4-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	STL57