Name: STL4N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14989-2-ND
Price: 1.2614 EUR
Availability: OutOfStock

STL4N10F7 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Diodes Incorporated

Vorrätig: 0

Stückpreis : 0,19687 €

Ähnlich

Renesas Electronics Corporation

Vorrätig: 0

Stückpreis : 0,30778 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STL4N10F7
DigiKey-Teilenr.	497-14989-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-14989-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-14989-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STL4N10F7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,9W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STL4N10F7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Ta), 18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	70mOhm bei 2,25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	408 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,9W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	STL4