Name: STL3NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13351-2-ND
Price: 3.1892 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STL3NM60N
DigiKey-Teilenr.	497-13351-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-13351-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-13351-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STL3NM60N
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 650mA (Ta), 2,2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STL3NM60N Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	650mA (Ta), 2,2A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,8Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	188 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	STL3NM60