Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14718-2-ND
Price: 6.2951 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STH315N10F7-2
DigiKey-Teilenr.	497-14718-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-14718-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-14718-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STH315N10F7-2
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) Oberflächenmontage H2PAK-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	315W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	H2PAK-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STH315