N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
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STF33N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-16355-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF33N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
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STF33N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1870 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,50000 €4,50 €
502,33220 €116,61 €
1002,12320 €212,32 €
5001,75694 €878,47 €
1.0001,63935 €1.639,35 €
2.0001,54052 €3.081,04 €
5.0001,53199 €7.659,95 €
Standardverpackung des Herstellers
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