Name: STB25N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13640-2-ND
Price: 6.2594 EUR
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB25N80K5
DigiKey-Teilenr.	497-13640-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-13640-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-13640-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB25N80K5
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 19,5 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB25N80K5 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH5™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	260mOhm bei 19,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1600 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB25