Name: ST8L65N050DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-ST8L65N050DM9TR-ND
Price: 8.4371 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ST8L65N050DM9
DigiKey-Teilenr.	497-ST8L65N050DM9TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-ST8L65N050DM9CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-ST8L65N050DM9DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	ST8L65N050DM9
Beschreibung	N CHANNEL 650V 38MOHM TYP 55 A M
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 55 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (8x8) HV
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 27,5A, 10V
Herst. STMicroelectronics	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Serie ECOPACK®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 107 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4584 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerFlat™ (8x8) HV
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 4-PowerVDFN