Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 31.5588 EUR
Availability: InStock

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SCTL90N65G2V
DigiKey-Teilenr.	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTL90N65G2V
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (8x8) HV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTL90N65G2V Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 157 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +22V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3380 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 935W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerFlat™ (8x8) HV
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle 4-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 40A, 18V