Name: SCT040HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040HU65G3AGTR-ND
Price: 16.7076 USD
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT040HU65G3AG
DigiKey-Teilenr.	497-SCT040HU65G3AGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SCT040HU65G3AGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SCT040HU65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT040HU65G3AG
Beschreibung	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 221W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	55mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39.5 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	920 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	221W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	HU3PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	SCT040