Name: GCMX010B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010B120S1-E1-ND
Price: 45.2319 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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GCMX010B120S1-E1
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX010B120S1-E1-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX010B120S1-E1
Beschreibung	1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 204 A (Tc) 652W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	204 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 100A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	418 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10864 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	652W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC

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10	28,52300 €	285,23 €
100	26,31050 €	2.631,05 €

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