Name: GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Price: 34.153 EUR
Availability: InStock

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GCMX008C120S1-E1
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX008C120S1-E1
Beschreibung	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 188 A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	188 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	506 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14067 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	536W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC

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10	21,18100 €	211,81 €
100	18,54800 €	1.854,80 €

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