Name: GCMX007C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX007C120S1-E1-ND
Price: 33.3438 EUR
Availability: InStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GCMX007C120S1-E1
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX007C120S1-E1-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX007C120S1-E1
Beschreibung	GEN3 1200V 7M SIC MOSFET MODULE,
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 192 A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	192 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	510 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12952 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	536W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 14

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	28,02000 €	28,02 €
10	20,64800 €	206,48 €
100	17,99730 €	1.799,73 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.