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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Durchkontaktierung 20-HSDIP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BST70B2P4K01-VC

DigiKey-Teilenr.
846-BST70B2P4K01-VC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BST70B2P4K01-VC
Beschreibung
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Durchkontaktierung 20-HSDIP
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
70 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 70A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 22,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4500pF bei 800V
Leistung - Max.
385W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
20-poliges PowerDIP-Modul (1,508", 38,30mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
20-HSDIP
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