
BST70B2P4K01-VC | |
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DigiKey-Teilenr. | 846-BST70B2P4K01-VC-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BST70B2P4K01-VC |
Beschreibung | HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Durchkontaktierung 20-HSDIP |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Verpackung | Box | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 4 N-Kanal (Vollbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 70 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 25mOhm bei 70A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,8V bei 22,2mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 170nC bei 18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4500pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 385W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäuse / Hülle | 20-poliges PowerDIP-Modul (1,508", 38,30mm) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 20-HSDIP |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 94,50000 € | 94,50 € |
| 10 | 79,35000 € | 793,50 € |
| 60 | 72,75750 € | 4.365,45 € |
| 120 | 70,97442 € | 8.516,93 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 94,50000 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 112,45500 € |




