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MOSFETs - Arrays 750V 47 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung 20-HSDIP
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BST47T1P4K01-VC

DigiKey-Teilenr.
846-BST47T1P4K01-VC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BST47T1P4K01-VC
Beschreibung
HSDIP20, 750V, 47A, 3-PHASE-BRID
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 750V 47 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung 20-HSDIP
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
Canal 6 N (pata de fase)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
750V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
47 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
37mOhm bei 47A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 15,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
97nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2300pF bei 500V
Leistung - Max.
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
20-poliges PowerDIP-Modul (1,508", 38,30mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
20-HSDIP
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