Name: RFD8P06LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-RFD8P06LE-ND
Price: 0.49334 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RFD8P06LE
DigiKey-Teilenr.	2156-RFD8P06LE-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RFD8P06LE
Beschreibung	P-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 8 A (Tc) 48W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 8A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	675 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	IPAK
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA