NTB18N06G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTB18N06G
DigiKey-Teilenr.	NTB18N06G-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTB18N06G
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 15 A (Tc) 48,4W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	450 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	48,4W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	NTB18