TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H300G4LSG-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H300G4LSG-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 6,5 A (Tc) 21W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TP65H300G4LSG-TR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	312mOhm bei 5A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	760 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	21W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	3-PQFN (8x8)
Gehäuse / Hülle	3-PowerDFN
Basis-Produktnummer	TP65H300

Fragen und Antworten zum Produkt

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