Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.2003 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H150G4LSG
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H150G4LSG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H150G4LSG
Beschreibung	GAN FET N-CH 650V PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TP65H150G4LSG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	598 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	3-PQFN (8x8)
Gehäuse / Hülle	3-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	TP65H150