RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

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RJK2511DPK-00#T0
DigiKey-Teilenr.	RJK2511DPK-00#T0-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	RJK2511DPK-00#T0
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 65 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RJK2511DPK-00#T0 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	65 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	34mOhm bei 32,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4900 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	RJK2511

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Verfügbar bis: 31.03.2026