Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.3308 EUR
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NP100P06PDG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP100P06PDG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 100 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP100P06PDG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15000 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	NP100P06