Name: NXH800H120L7QDSG
Brand: onsemi
SKU: 488-NXH800H120L7QDSG-ND
Price: 191.8756 EUR
Availability: InStock

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NXH800H120L7QDSG
DigiKey-Teilenr.	488-NXH800H120L7QDSG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH800H120L7QDSG
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 800A 11-PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 1200 V 800 A Chassisbefestigung 11-PIM (152x62,15)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	800 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,05V bei 15V, 800A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	94300 pF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	11-PIM (152x62,15)
Basis-Produktnummer	NXH800

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