Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXH50C120L2C2ES1G
DigiKey-Teilenr.	488-NXH50C120L2C2ES1G-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH50C120L2C2ES1G
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Dreiphasiger Umrichter mit Bremse 1200 V 50 A 20 mW Durchkontaktierung 26-DIP

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Konfiguration	Dreiphasiger Umrichter mit Bremse
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	50 A
Leistung - Max.	20 mW
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,4V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	250 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	11.89 nF @ 20 V
Eingang	Dreiphasiger Brückengleichrichter
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	26-PowerDIP-Modul (1,199", 47,20mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten	26-DIP
Basis-Produktnummer	NXH50