Name: NXH100B120H3Q0STG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH100B120H3Q0STG-ND
Price: 64.3671 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXH100B120H3Q0STG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH100B120H3Q0STG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH100B120H3Q0STG
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp 2 unabhängig 1200 V 50 A 186 W Chassisbefestigung 22-PIM/Q0BOOST (55x32,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	2 unabhängig
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	50 A
Leistung - Max.	186 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,3V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	200 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	9.075 nF @ 20 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	22-PIM/Q0BOOST (55x32,5)
Basis-Produktnummer	NXH100

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