Name: NVMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 2.1301 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMYS4D1N06CLTWG
DigiKey-Teilenr.	488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMYS4D1N06CLTWG
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 22 A (Ta), 100 A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK4 (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 80µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK4 (5x6)
Gehäuse / Hülle	SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer	NVMYS4