Name: NVMFS6H852NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND
Price: 1.5113 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS6H852NLWFT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFS6H852NLWFT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFS6H852NLWFT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFS6H852NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS6H852NLWFT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 11 A (Ta), 42 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 42 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13,1mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 45µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	906 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,6W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS6