Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 3.8318 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5113PLT1G
DigiKey-Teilenr.	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS5113PLT1G
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 10 A (Ta), 64 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMFS5113PLT1G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 83 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4400 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta), 64 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14mOhm bei 17A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer NVMFS5