Name: NVMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND
Price: 4.4744 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS3D6N10MCLT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS3D6N10MCLT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 19 A (Ta), 132 A (Tc) 3W (Ta), 139W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Ta), 132 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,6mOhm bei 48A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4411 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS3