Name: NTTFS5D9N08HTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS5D9N08HTWGTR-ND
Price: 2.8203 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFS5D9N08HTWG
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFS5D9N08HTWGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFS5D9N08HTWGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFS5D9N08HTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS5D9N08HTWG
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 13A (Ta), 84A (Tc) 2,7W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13A (Ta), 84A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,9mOhm bei 23A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 120µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2040 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,7W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NTTFS5