Name: NTTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.2733 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFS5116PLTWG
DigiKey-Teilenr.	NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS5116PLTWG
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFS5116PLTWG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhmA 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1258 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NTTFS5