Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 3.0226 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFS1D2N02P1E
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS1D2N02P1E
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFS1D2N02P1E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1mOhm bei 38A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 934µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4040 pF @ 13 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NTTFS1