Name: NTTFS115P10M5
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS115P10M5TR-ND
Price: 1.5113 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFS115P10M5
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFS115P10M5TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFS115P10M5CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFS115P10M5DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFS115P10M5
Beschreibung	MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 2A (Ta), 13A (Tc) 900mW (Ta), 41W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2A (Ta), 13A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	120mOhm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 45µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	637 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	NTTFS1