Name: NTMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 3.4153 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMFS6H800NLT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMFS6H800NLT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMFS6H800NLT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3,9W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMFS6H800NLT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30A (Ta), 224A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 330µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6900 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,9W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTMFS6