Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 4.3316 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMFS3D2N10MDT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMFS3D2N10MDT1G
Beschreibung	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTMFS3D2N10MDT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 316µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3900 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTMFS3