Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.2852 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTF6P02T3G
DigiKey-Teilenr.	NTF6P02T3GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTF6P02T3GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTF6P02T3G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 10 A (Ta) 8,3W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223 (TO-261)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTF6P02T3G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1200 pF @ 16 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	8,3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223 (TO-261)
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	NTF6P02