Name: NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBLS1D5N10MCTXGTR-ND
Price: 8.5561 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTBLS1D5N10MCTXG
DigiKey-Teilenr.	488-NTBLS1D5N10MCTXGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTBLS1D5N10MCTXGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTBLS1D5N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTBLS1D5N10MCTXG
Beschreibung	MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 32A (Ta), 312A (Tc) 3,4W (Ta), 322W (Tc) Oberflächenmontage 8-HPSOF
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32A (Ta), 312A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 799µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	131 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10100 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,4W (Ta), 322W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HPSOF
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN