Name: MJ11016G
Brand: onsemi
SKU: MJ11016GOS-ND
Price: 7.0448 EUR
Availability: InStock

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MJ11016G
DigiKey-Teilenr.	MJ11016GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJ11016G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Durchkontaktierung TO-204 (TO-3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJ11016G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	30 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	120 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	4V bei 300mA, 30A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 bei 20A, 5V
Leistung - Max.	200 W
Frequenz - Übergang	4MHz
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-204 (TO-3)
Basis-Produktnummer	MJ11016

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10	3,98900 €	39,89 €
100	2,89820 €	289,82 €
500	2,43350 €	1.216,75 €
1.000	2,40886 €	2.408,86 €

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