Name: MJ11015G
Brand: onsemi
SKU: MJ11015GOS-ND
Price: 9.6628 EUR
Availability: InStock

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Durchkontaktierung TO-204 (TO-3)

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MJ11015G
DigiKey-Teilenr.	MJ11015GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJ11015G
Beschreibung	TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Durchkontaktierung TO-204 (TO-3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJ11015G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 1000 bei 20A, 5V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 200 W
Verpackung Tablett	Frequenz - Übergang 4MHz
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 200°C (TJ)
Transistor-Typ PNP - Darlington	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30 A	Gehäuse / Hülle TO-204AA, TO-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-204 (TO-3)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 4V bei 300mA, 30A	Basis-Produktnummer MJ11015
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 1mA

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