FQU13N06LTU onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQU13N06LTU
DigiKey-Teilenr.	FQU13N06LTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQU13N06LTU
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 11 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQU13N06LTU Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	115mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	350 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	IPAK
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer	FQU13N06