Name: FQT1N80TF-WS
Brand: onsemi
SKU: FQT1N80TF-WSTR-ND
Price: 1.5708 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQT1N80TF-WS
DigiKey-Teilenr.	FQT1N80TF-WSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQT1N80TF-WSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQT1N80TF-WS
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQT1N80TF-WS Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20Ohm bei 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	195 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223-3
Gehäuse / Hülle	TO-261-3
Basis-Produktnummer	FQT1N80