P-Kanal 250 V 6 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3 (Y-verformt)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQPF9P25YDTU

DigiKey-Teilenr.
FQPF9P25YDTU-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQPF9P25YDTU
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 250 V 6 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3 (Y-verformt)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
620mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1180 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3 (Y-verformt)
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack, geformte Anschlüsse
Basis-Produktnummer
FQPF9
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