Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 3.4391 EUR
Availability: InStock

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FQB55N10TM
DigiKey-Teilenr.	FQB55N10TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQB55N10TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQB55N10TM
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 55 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQB55N10TM Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 98 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2730 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 55 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQB55N10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 26mOhm bei 27,5A, 10V

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (6)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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