Name: FQB34P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB34P10TMTR-ND
Price: 4.2483 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQB34P10TM
DigiKey-Teilenr.	FQB34P10TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQB34P10TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQB34P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQB34P10TM
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 33,5 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQB34P10TM Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2910 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQB34P10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 16,75A, 10V