FDS6575 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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FDS6575
DigiKey-Teilenr.	FDS6575TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDS6575CT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDS6575DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDS6575
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 10 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDS6575 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	74 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4951 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	FDS65