Name: FDMC86116LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86116LZTR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

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FDMC86116LZ
DigiKey-Teilenr.	FDMC86116LZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMC86116LZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMC86116LZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMC86116LZ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 3,3 A (Ta), 7,5 A (Tc) 2,3W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage 8-MLP (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,3 A (Ta), 7,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	103mOhm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	310 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,3W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-MLP (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	FDMC86116