Name: FDC658P
Brand: onsemi
SKU: FDC658PTR-ND
Price: 1.309 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDC658P
DigiKey-Teilenr.	FDC658PTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDC658PCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDC658PDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDC658P
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 4 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT™-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDC658P Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 750 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,6W (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SuperSOT™-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FDC658
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 4A, 10V